《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:08:06 3087人看過
《Ecs Journal Of Solid State Science And Technology》雜志收稿范圍涵蓋材料科學全領(lǐng)域，此刊是該細分領(lǐng)域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業(yè)細分領(lǐng)域中學術(shù)影響力較大，專業(yè)度認可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 ，影響因子指數(shù)1.8。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：65 SOUTH MAIN STREET, PENNINGTON, USA, NJ, 08534
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 39 | 483 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 14.46% | 1.8 | 0.32... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 94.41% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 299 |
| USA | 244 |
| Japan | 128 |
| South Korea | 128 |
| Taiwan | 98 |
| India | 67 |
| GERMANY (FED REP GER) | 47 |
| Iran | 34 |
| Belgium | 28 |
| Italy | 28 |
2023-2024機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 59 |
| STATE UNIVERSITY SYSTEM OF FLORI... | 54 |
| KOREA UNIVERSITY | 42 |
| HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY | 40 |
| UNIVERSITY OF ARIZONA | 30 |
| TIANJIN KEY LAB ELECT MAT & DEVI... | 29 |
| ARACA INC | 27 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 26 |
| IMEC | 25 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 20 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 1113 |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J APPL PHYS | 552 |
| J ELECTROCHEM SOC | 494 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 249 |
| PHYS REV B | 222 |
| MICROELECTRON ENG | 204 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 202 |
| JPN J APPL PHYS | 189 |
| APPL SURF SCI | 179 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| ECS J SOLID STATE SC | 574 |
| J ALLOY COMPD | 98 |
| JPN J APPL PHYS | 89 |
| APPL PHYS LETT | 82 |
| J LUMIN | 80 |
| J APPL PHYS | 65 |
| J MATER CHEM C | 61 |
| APPL SURF SCI | 58 |
| J MATER SCI-MATER EL | 49 |
| MATER RES EXPRESS | 47 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| 2300V Reverse Breakdown Voltage ... | 32 |
| Review-Field-Effect Transistor B... | 31 |
| Review-Theory and Characterizati... | 26 |
| Review-Mn4+-Activated Red and De... | 24 |
| Silver-Doped Titania Modified Ca... | 22 |
| Review-Phosphor Plates for High-... | 19 |
| Review-Narrow-Band Nitride Phosp... | 18 |
| 2.32 kV Breakdown Voltage Latera... | 17 |
| Review-Progress in High Performa... | 16 |
| Hydrogen Centers in beta-Ga2O3: ... | 15 |
聲明：以上內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料，如有不準確之處，請聯(lián)系我們進行修改。
