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					不同載流子輸運模型對GaN IMPATT二極管直流特性的影響研究 【正文】
					
				
    
			
    

			
    
				
    
					
    
						
						
    不同載流子輸運模型對GaN IMPATT二極管直流特性的影響研究
    

						
						
						

						
						
    作者：李秀圣  濰坊學院; 山東濰坊261061
    
						

						
    摘要：本文利用氮化鎵半導體,設計了傳統的高-低結構的碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管,并利用漂移-擴散輸運模型和流體動力學輸運模型,在Sentaurus模擬器中對器件的直流特性進行了模擬研究。通過對比研究,發(fā)現漂移-擴散模型過高估計了器件內部載流子的碰撞電離率,而流體動力學模型更能精確的揭示器件內部載流子的電離過程。
    
						

						
    注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
    
						
						
						
						
					
    
				
    
				
				
				
    
	
    
		
	
    
	
    
		
    濰坊學院學報雜志
    
		
    濰坊學院學報雜志，
		雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：山東半島經濟與社會發(fā)展研究、莫言文學研究、北海文化研究、經濟·管理、法律、文學·語言·藝術、歷史、高等教育與教學、特殊教育、書評等。于2001年經新聞總署批準的正規(guī)刊物。
    
		
      
			
			
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