一種提取GaN功率HEMT器件熱阻抗的方法
作者：張學斌; 吳洪江; 張志國 海軍駐上海地區(qū)航天系統(tǒng)軍事代表室; 上海200090; 中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051
摘要：提出了一種提取GaN功率HEMT器件熱阻抗的新方法。該方法對熱阻抗自身的功耗非線性特性進行了考慮,克服了傳統(tǒng)功率器件熱阻抗提取方法,通常只能獲得熱阻抗實部(直流熱電阻特性),不能提取熱阻抗虛部(交流熱電容特性),以及難以確定熱阻抗自身隨功耗變化特性等的缺陷,該方法在河北半導體研究所0.25μm AlGaN/GaN HEMT工藝中得到驗證。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
微波學報
微波學報雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：學術論文與技術報告、科研通訊、簡訊等。于1980年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。
- 北大期刊
- CSCD期刊
- 統(tǒng)計源期刊
- 1-3個月審核
