摘要：文章在對(duì)橋接T型結(jié)構(gòu)和行波陣列式特點(diǎn)分析的基礎(chǔ)上,結(jié)合二極管組結(jié)構(gòu)提出了一種橋接T 型二極管組探測(cè)器陣列新結(jié)構(gòu)。即通過并聯(lián)相同兩個(gè)級(jí)聯(lián)的光電二極管,以此4個(gè)二極管構(gòu)成一個(gè)并行二極管組。再將其嵌入到能使帶寬增強(qiáng)力倍的橋接T 型結(jié)構(gòu)中,形成單個(gè)陣列單元。最后,根據(jù)行波陣列式結(jié)構(gòu),將陣列單元級(jí)聯(lián)起來(lái)形成橋接T型二極管組探測(cè)器新結(jié)構(gòu)。在EDA平臺(tái)上,對(duì)該陣列單元模擬仿真,再與已有的行波光電探測(cè)器在功率合成、工作帶寬、頻率響應(yīng)等方面對(duì)比分析。仿真結(jié)果表明,在應(yīng)用相同二極管數(shù)目的條件下,且每個(gè)新陣列單元只多增加一個(gè)電容元件,陣列輸出功率合成降低一半,工作帶寬卻提高萬(wàn)倍,響應(yīng)速率提升3T 。降低的功率可通過級(jí)聯(lián)新陣列單元進(jìn)行功率進(jìn)一步合成。研究結(jié)果表明,此陣列結(jié)構(gòu)精簡(jiǎn),不僅有效提高響應(yīng)速度,更在在工作帶寬、功率合成上都表現(xiàn)出了極高極好的性能。