新型閃爍晶體Gd3(Al,Ga)5O12:Ce^3+的研究進展
作者：孟猛; 祁強; 丁棟舟; 赫崇君; 施俊杰; 任國浩 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所; 上海200050; 中國科學(xué)院大學(xué)材料與光電研究中心; 北京100049; 南京航空航天大學(xué)航天學(xué)院; 南京211106; 上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院; 上海200093; 中國科學(xué)院海西創(chuàng)新研究院; 福州350002
摘要：無機閃爍晶體在核輻射探測領(lǐng)域有重要的應(yīng)用,鈰摻雜鋁酸釓鎵(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,縮寫為GAGG:Ce)閃爍晶體性能優(yōu)良,在高能物理、γ相機等應(yīng)用領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,因此成為了當(dāng)前閃爍體領(lǐng)域的研究熱點。本文總結(jié)了GAGG:Ce閃爍晶體近年來主要的研究進展;分析了GAGG:Ce晶體的結(jié)構(gòu)及其穩(wěn)定性;闡述了反位缺陷對晶體發(fā)光性能的影響;通過"帶隙工程"理論解釋了Gd、Ga離子摻雜消除反位缺陷的機理;總結(jié)了近年來GAGG:Ce晶體生長中存在的問題及解決途徑;梳理了GAGG:Ce晶體的發(fā)光機理、閃爍性能及其影響因素;對各國團隊通過陽離子摻雜的"缺陷工程"理論抑制GAGG:Ce晶體閃爍衰減慢分量的研究進行分析總結(jié);展望了GAGG:Ce閃爍晶體發(fā)展方向。
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人工晶體學(xué)報雜志
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