基于可調(diào)有源并聯(lián)反饋技術(shù)的超低功耗寬帶低噪聲放大器
作者：高麗娜; 龐建麗 黃淮學(xué)院; 河南駐馬店463000
摘要：設(shè)計了一款超低功耗寬帶低噪聲放大器(LNA)。該LNA采用互補(bǔ)電流復(fù)用結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)采用共柵級NMOS管和PMOS管作為輸入器件。采用有源并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)輸入網(wǎng)絡(luò)的低功耗,同時反饋級的電流被輸入晶體管復(fù)用,改善LNA的電流效率。利用襯底偏置方案,對反饋系數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。基于TSMC 0.13μm CMOS工藝技術(shù)進(jìn)行流片,芯片面積為0.007、2mm^2。芯片在片測試結(jié)果為:在1V電壓供電下,消耗了500μA的電流。LNA的3dB帶寬為0.1~2.5GHz,增益為9.5~13.6dB,噪聲系數(shù)低于4.7dB,輸入三階交調(diào)截止點(diǎn)為-9.3~-6.8dBm。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志
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