基于SiGe BiCMOS工藝的802.11ac系統(tǒng)射頻前端芯片設(shè)計(jì)
作者：陳亮; 朱彥青; 陳悅鵬 南京國博電子有限公司; 南京210016; 南京電子器件研究所; 南京210016
摘要：基于0.35μm SiGe BiCMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款工作在5.15~5.85GHz的用于802.11ac系統(tǒng)的高集成射頻前端芯片。芯片集成低噪聲放大器、開關(guān)、功率放大器以及電源管理電路、功能控制電路、靜電放電(Electro-static discharge,ESD)保護(hù)電路。芯片面積為1.56mm×1.56mm,封裝采用尺寸為2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管腳QFN封裝形式。芯片電源電壓為5V,控制電壓為3.3V。測試結(jié)果表明,發(fā)射通路的直流電流為120mA,增益為29dB,輸出P-1為27dBm,當(dāng)輸出功率為18dBm時誤差向量幅度為-34dB;接收通路的直流電流為6mA,增益為12.5dB,噪聲系數(shù)為2.4dB,輸出P-1為10dBm。同時,芯片集成功率檢測功能可用于實(shí)現(xiàn)發(fā)射系統(tǒng)的動態(tài)增益控制。ESD測試結(jié)果顯示,各端口的ESD保護(hù)能力大于1500V(HBM模式)。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡訊等。于1981年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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