摘要：為了研究點(diǎn)缺陷對(duì)Al0.5Ga0.5N納米片電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響,建立了Al、Ga、N空位和N取代Al、N取代Ga的經(jīng)典點(diǎn)缺陷結(jié)構(gòu)。基于密度泛函理論的第一性原理超軟贗勢(shì)的方法和GGA-PBE交換互聯(lián)函數(shù)計(jì)算了能帶、態(tài)密度、復(fù)介電函數(shù)、復(fù)折射率、吸收譜和能量損失譜等信息。結(jié)果表明,空位缺陷和替代缺陷會(huì)導(dǎo)致帶隙變窄,其中Al空位和Ga空位均使費(fèi)米能級(jí)進(jìn)入價(jià)帶,N空位使納米片顯n型性質(zhì);替代缺陷會(huì)使納米片顯示半金屬性質(zhì)。在光學(xué)性質(zhì)上,缺陷導(dǎo)致納米片復(fù)介電函數(shù)虛部低能區(qū)出現(xiàn)峰值,說(shuō)明有電子躍遷的出現(xiàn)。同時(shí)空位缺陷導(dǎo)致吸收光譜在低能區(qū)有擴(kuò)展,可見(jiàn)光范圍也包含在內(nèi)。