合成及薄膜制備條件對CsPbBr3全無機鈣鈦礦量子點特性的影響
作者：馬雪; 莊仕偉; 韓麗錦; 胡大強; 張源濤; 董鑫; 吳國光; 張寶林 集成光電子學(xué)國家重點實驗室; 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 吉林長春130012
摘要：通過對不同合成條件與制備參數(shù)的量子點及其薄膜進行一系列特性表征,實現(xiàn)銫鉛溴量子點(CsPbBr3)合成條件和薄膜制備參數(shù)的優(yōu)化。利用熱注入的方法,研究了反應(yīng)溫度與反應(yīng)時間對CsPbBr3量子點特性的影響。設(shè)計并獲得了不同合成條件下的CsPbBr3量子點樣品,并對所有樣品進行了特性表征。隨后將所有CsPbBr3量子點樣品制備成薄膜,探究其薄膜的光致發(fā)光特性。反應(yīng)溫度為180℃、反應(yīng)時間為5s時所合成的量子點尺寸最小,為9nm;旋涂速度為3000r/min、退火溫度為80℃、退火時間為10min時,所制備的薄膜光致發(fā)光強度最大。得到了相對最優(yōu)的CsPbBr3量子點合成條件與CsPbBr3量子點薄膜制備條件。
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