一種高速、高共模噪聲抗擾的電平位移電路
作者：張春奇; 胡黎; 潘溯; 馮旭東; 張宣; 明鑫 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室; 成都610054
摘要：介紹了一種應(yīng)用于GaN驅(qū)動的0.35μm HV CMOS工藝的高速、高共模噪聲抗擾的電平位移電路。該電路采用高速電流鏡和雙鎖存結(jié)構(gòu),并增加共模抗擾輔助電路,大大提高了傳輸速度和對共模噪聲的抗擾能力。該高速、高共模噪聲抗擾的電平位移電路主要用于驅(qū)動增強型GaN的高壓半橋柵驅(qū)動。仿真結(jié)果顯示該電平位移電路上升沿傳輸延時1.03 ns,下降沿傳輸延時1.15 ns,可承受GaN高壓半橋柵驅(qū)動開關(guān)節(jié)點SW處電壓浮動50 V/ns。
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