太赫茲固態(tài)放大器研究進(jìn)展
摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,晶體管特征頻率不斷提高,已經(jīng)進(jìn)入到太赫茲(THz)頻段,使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號(hào)進(jìn)行放大,在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進(jìn)展。
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電子技術(shù)應(yīng)用雜志
電子技術(shù)應(yīng)用雜志， 月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：技術(shù)專(zhuān)欄—射頻與微波、綜述與評(píng)論、人工智能、微電子技術(shù)、測(cè)控技術(shù)與儀器儀表、通信與網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)技術(shù)與應(yīng)用、嵌入式技術(shù)、電路與系統(tǒng)、雷達(dá)與導(dǎo)航等。于1975年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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